太陽能電池板檢測檢測國家標(biāo)準(zhǔn)

太陽能級多晶硅塊
1 范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級多晶硅塊的產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于利用定向熔鑄技術(shù)所生產(chǎn)切割而形成的，用于切割制備多晶硅片的多晶硅塊。
2 規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB 191 包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T 1550 非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法
GB/T 1552 硅、鍺單晶電阻率測定 直排四探針法
GB/T 1553 硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法
GB/T 1557 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558 測定硅單晶體中代位碳含量的紅外吸收方法
GB/T 4061 硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
GB/T 6616 半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測定 非接觸渦流法
GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語
SEMI MF1389-0704 Ⅲ－Ⅴ號混雜物中對單晶體硅的光致發(fā)光分析的測試方法
3 術(shù)語定義、符號及縮略語
GB/T 14264確立的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
微晶：產(chǎn)品表面小范圍內(nèi)密集型的晶格排布。
4 分類
4.1 外形尺寸分類
產(chǎn)品按外形尺寸（長×寬）分為125mm×125mm和156mm×156mm或由供需雙方商定規(guī)格。
5 要求
5.1 外觀要求
太陽能級多晶硅塊外觀要求無可視裂紋、崩邊、崩塊、缺口；
5.2 性能
太陽能級多晶硅塊性能要求具體見表1，在表1中未列出的規(guī)格要求由供需雙方商定；

表1
項(xiàng)目 要求
電阻率，Ω?cm 1.0∽3.0
導(dǎo)電類型 P型
少數(shù)載流子壽命（裸測最小值），μs ≥2
氧濃度，atoms/cm3 ≤1×1018
碳濃度，atoms/cm3 ≤5×1017
基體金屬雜質(zhì)，ppmw Fe、Cr、Ni、Cu、Zn
TMI(Total metal impurities)總金屬雜質(zhì)含量：≤1
硼濃度 ≤0.30
磷濃度 ≤0.40

5.3 結(jié)構(gòu)及表面質(zhì)量
5.3.1 太陽能級多晶硅塊中不允許出現(xiàn)氧化夾層；
5.3.2 太陽能級多晶硅塊IR檢測結(jié)果不可出現(xiàn)陰影、雜質(zhì)、裂紋、微晶；
5.3.3 太陽能級多晶硅塊表面粗糙度Ra≤0.2μm；
5.3.4 太陽能級多晶硅塊幾何尺寸偏差不超過±0.5mm。
6 試驗(yàn)方法
6.1 太陽能級多晶硅塊的外觀檢驗(yàn)用目測檢查；
6.2 太陽能級多晶硅塊電阻率檢驗(yàn)按GB/T 1552或GB/T 6616進(jìn)行；
6.3 太陽能級多晶硅塊導(dǎo)電類型檢驗(yàn)按GB/T 1550進(jìn)行；
6.4 太陽能級多晶硅塊少數(shù)載流子壽命檢驗(yàn)按GB/T 1553進(jìn)行；
6.5 太陽能級多晶硅塊的氧含量檢驗(yàn)按GB/T 1557進(jìn)行；
6.6 太陽能級多晶硅塊的碳含量檢驗(yàn)按GB/T 1558進(jìn)行；
6.7 太陽能級多晶硅塊基體金屬雜質(zhì)按照SEMI MF1389-0704測試；
6.8 太陽能級多晶硅塊斷面夾層檢驗(yàn)按GB/T 4061測試；
6.9 太陽能級多晶硅塊IR檢測方法：將太陽能級多晶硅塊至于850μm紅外光源下，通過攝像機(jī)觀察成像效果。
6.10 太陽能級多晶硅塊表面粗糙度用表面粗糙度測試儀測得，測試點(diǎn)在所試表面隨機(jī)獲得。測試要求測量硅塊的相鄰兩側(cè)面，兩端面不用測量。
6.11 太陽能級多晶硅塊幾何尺寸采用通用量具測得，但最小精度應(yīng)不小于0.02mm
7 檢驗(yàn)規(guī)則
7.1 檢驗(yàn)分類
檢驗(yàn)分：出廠檢驗(yàn)和型式試驗(yàn)。
7.2 出廠檢驗(yàn)
7.2.1 每批產(chǎn)品應(yīng)經(jīng)供方技術(shù)（質(zhì)量）監(jiān)督部門進(jìn)行檢驗(yàn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，并附有產(chǎn)品質(zhì)量合格的技術(shù)文件，方可出廠；
7.2.2 出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目包括4.1、5.1、5.2中的電阻率、導(dǎo)電類型及少數(shù)載流子壽命和5.3.2、5.3.3、5.3.4項(xiàng)。
7.3 判定規(guī)則
7.3.1 每批產(chǎn)品的檢驗(yàn)項(xiàng)目均采用全數(shù)檢驗(yàn)，或由供需雙方協(xié)商解決。
7.3.2 合格質(zhì)量水平(AQL)規(guī)定為Ac=0，Re=1，或由供需雙方協(xié)商解決。
7.4 型式試驗(yàn)
7.4.1 有下列情況之一，應(yīng)進(jìn)行型式試驗(yàn)：
A）新產(chǎn)品或老產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)的試制鑒定；
B）正式生產(chǎn)后，如結(jié)構(gòu)、材料、工藝有較大改變可能影響產(chǎn)品性能時(shí)；
C）正常生產(chǎn)時(shí)，每隔一年進(jìn)行一次；
D）產(chǎn)品長期停產(chǎn)后，又恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)；
E）出廠檢驗(yàn)結(jié)果與上次型式試驗(yàn)有較大差異時(shí)；
F）國家質(zhì)量監(jiān)督機(jī)構(gòu)提出進(jìn)行型式檢驗(yàn)的要求時(shí)。
7.4.2 型式試驗(yàn)項(xiàng)目包括本標(biāo)準(zhǔn)所列全部要求的內(nèi)容；
7.4.3 型式試驗(yàn)樣品應(yīng)從出廠檢驗(yàn)合格的產(chǎn)品中隨機(jī)抽取，試樣為3PCS；
7.4.4 在型式試驗(yàn)中，如有1項(xiàng)不符合本標(biāo)準(zhǔn)要求時(shí)，則應(yīng)從該批產(chǎn)品中，抽取加倍數(shù)量進(jìn)行不合格項(xiàng)目試驗(yàn)，如仍不符合該項(xiàng)的要求時(shí)，則該項(xiàng)型式試驗(yàn)判為不合格，該批產(chǎn)品做不合格論。
8 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存
8.1 包裝、標(biāo)志
8.1.1 產(chǎn)品封裝于相應(yīng)規(guī)格木箱內(nèi)，四周用不小于20mm的珍珠棉填充緊密，以防止損壞產(chǎn)品；
8.1.2 所有出廠產(chǎn)品包裝箱應(yīng)采取防破碎、防損傷、防臟污措施。箱外應(yīng)標(biāo)有“小心輕放”、“防酸”、“防堿”和“防潮”警示標(biāo)志且應(yīng)符合GB 191的要求；
8.1.3 產(chǎn)品包裝箱在顯眼處應(yīng)標(biāo)注如下內(nèi)容：
a) 客戶名稱；
b) 數(shù)量；
c) 產(chǎn)品規(guī)格；
d）產(chǎn)品重量；
e) 產(chǎn)品執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)號；
f) 出廠編號；
g) 制造廠商；
h) 廠址、電話。
8.1.4 產(chǎn)品發(fā)運(yùn)時(shí)，應(yīng)附有成品出庫單，應(yīng)包含以下內(nèi)容：
a) 客戶名稱；
b) 產(chǎn)品規(guī)格；
c) 數(shù)量；
d) 件數(shù)；
e）總重量
f) 出廠編號；
g) 出廠日期；
h) 發(fā)貨單位、發(fā)貨人；
i) 制造廠商。
8.1.5 每批產(chǎn)品應(yīng)附有產(chǎn)品檢驗(yàn)報(bào)告, 應(yīng)包含以下內(nèi)容：
a) 客戶名稱；
b) 產(chǎn)品規(guī)格；
c) 產(chǎn)品編號；
d) 檢驗(yàn)日期；
e) 各項(xiàng)檢驗(yàn)結(jié)果及檢驗(yàn)部門印章。
8.2 運(yùn)輸、貯存
8.2.1 產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中應(yīng)輕裝輕卸，嚴(yán)禁拋擲，并采取防震、防潮措施；
8.2.2 產(chǎn)品應(yīng)貯存在潔凈、干燥環(huán)境中。